中頻感應(yīng)加熱設(shè)備作為目前較為環(huán)保節(jié)能的設(shè)備，受到了廣大客戶的歡迎。我們一直說我們的中頻感應(yīng)加熱設(shè)備采用IGBT固態(tài)逆變技術(shù)，高效節(jié)能，輸出功率大，具有很多的優(yōu)勢(shì)。IGBT我們經(jīng)常會(huì)聽到，但是我們很少去了解它，甚至于連IGBT的特性我們都不了解，今天，我們就說一下IGBT的特性。

IGBT是雙極型晶體管和MOSFET晶體管的復(fù)合。雙極型晶體管飽和壓降低、載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流也大。MOSFET為電壓驅(qū)動(dòng)型，故流密度小、開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大。IGBT則綜合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，成為驅(qū)動(dòng)功率小且飽和壓降低的新型器件。

1.IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性特別的好

2.IGBT的開關(guān)特性 同MOSFET一樣，當(dāng)工作在高頻開關(guān)狀態(tài)時(shí)，必須要考慮極間電容的影響。由于IGBT為電壓驅(qū)動(dòng)型，具有驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、飽和壓降低，可承受高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，綜合性能好，已成為當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的功率半導(dǎo)體器件。

了解了IGBT的轉(zhuǎn)移特性、輸出特性以及開關(guān)特性，相信現(xiàn)在您對(duì)IGBT有了深刻的了解。鄭州高氏是專門生產(chǎn)中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的廠家，設(shè)備采用的就是IGBT模塊，擁有很多的優(yōu)勢(shì)。如果您想了解這種設(shè)備，可以來電咨詢。